| Деталь производителя | DS1230Y-200IND |
|---|---|
| Производитель | Rochester Electronics |
| Описание | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP |
| Категория | 7bf2084fde7f81e2912434fdfffb4148 |
| RoHS | Без свинца / соответствует требованиям RoHS |
| Гарантия | 365 дней |
| Техническая спецификация | DS1230Y-200IND PDF |
| Тип | Описание |
|---|---|
| ряд: | - |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Obsolete |
| тип памяти: | Non-Volatile |
| формат памяти: | NVSRAM |
| технологии: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| объем памяти: | 256Kb (32K x 8) |
| интерфейс памяти: | Parallel |
| тактовая частота: | - |
| время цикла записи - слово, страница: | 200ns |
| время доступа: | 200 ns |
| напряжение - питание: | 4.5V ~ 5.5V |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| тип крепления: | Through Hole |
| упаковка / чехол: | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| пакет устройств поставщика: | 28-EDIP |
| Способ оплаты | Плата за руку |
| Телеграфный перевод | Запросить услугу |
| Paypal | 4% fee |
| Credit Card | 4% fee |
| Western Union | Бесплатно |
| Money Gram | Бесплатно |
| Тип доставки | Время выполнения |
| DHL | 2-5 дней |
| Fedex | 2-5 дней |
| UPS | 2-5 дней |
| TNT | 2-6 дней |
| EMS | 3-7 дней |
| Заказной авиапочтой | 20-35 дней |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
